袁文勋 袁

产品工艺:负责0.15um&0.18um 电源管理，0.13um&0.15um图像传感器，0.18um可擦写存储器以及0.35um 高压电源管理产品的光刻工艺及Frame cell的开发和优化工作。 任现职后主要负责项目： 1. 2010年底作为0.35um 存储器产品光刻工艺负责人通过对光刻胶的更换，成功解决湿法蚀刻后CDU差的问题，产品良率迅速从92%提升至95%。老的光刻胶耐高温性能很差，在Ashing后由于高温的作用，图形边缘的光刻胶与衬底容易产生剥离，在后续的湿法蚀刻时，蚀刻剂进入剥离区，从而引起CDU差。新的光刻胶耐高温和粘合性能很好，湿法蚀刻后CDU很好。 2. 2013年~2016年先后参与了0.15um/0.13um CIS产品的引进。首先通过OPC的调整解决ASML750 Krf机台DOF小的问题；其次通过曝光工艺参数的优化成功解决了wafer edge defocus 问题；量产后通过PEB温度和时间的优化解决DUV厚胶PR profile及CDU欠佳的问题。量产后良率比mother fab 高出3%，并项目被客户授予最佳供应商的称号。 3. 2013年作为光刻工艺负责人主导0.18um 电源管理新平台光刻工艺setup，全新开发涂胶显影程序及最佳曝光方案，实现了产品的试产成功及批量生产，并获得客户的信赖。此客户的产品经过几代的工艺优化已经成为Fab7第二大量的产品。 4. 2014年负责新安装DUV机台的产品qualify，通过对qualify产品的风险评估及风险监测方案的优化，新机台提前17天qualify完成，为公司增加盈利14万美金。 5. 2015年负责I-line Group WPH提升项目，通过scanner Recipe NA，sigma调整和partial shot曝光方案的优化I-line Group产能提升了3%，每年可以增加盈利170万美金，此提案获得2015年度天津厂CIT竞赛特别贡献奖. 6. 2016年负责DUV Group产能提升项目，通过DUV机台显影程序的优化，DUV机台产能提高的5%，公司每年可以增加盈利100万美金，此提案获得2016年度天津厂CIT竞赛三等奖. 7. 2016年负责I-line High speed 光刻胶的评估项目，此项目对PR 厚度范围，曝光能量以及PR profile有严格要求。先后对四家厂商提供的样品进行大量的验证，最终TOK的光刻胶满足我们的工艺要求，此光刻胶WPH能提高40%，已经完成80%产品替换率。 8. 2017年负责PR 减量项目，成功完成两支PR减量工作，cost节省25%，并推广到SMIC其它厂。PR减量的核心工作是PR用量减少而产品质量不变；通过光阻pump recipe和coater recipe参数优化，保持PR膜厚的Mean和Range不变，产品上不同衬底的PR厚度保持不变。 9. 2018年负责Fab7二期项目ProZ机台recipe的开发，光刻工艺的管理以及验收工作。当时作为全球第一台ProZ200，对于厂商和用户都是没有经验可以借鉴和参考的。验机时期通过几十次的recipe优化实验和机台module 风压调整最终解决了DUV 机台PR膜厚的range问题；产品qualify时期通过显影recipe的优化解决某些层CDU欠佳的问题；并灵活运用新机台PDR Rinse功能，解决困扰已久的Gate Oxide damage 问题。