安妮 王

参加中芯国际技术培训生项目，具备三年半导体FinFET金属柵工艺开发的经验，目前带领自己的团队主攻7nm HKMG研发工作。 1. 负责并完成14nm高介电金属栅工艺开发及优化，包括不同供应商机台性能评估，化学品评估，新工艺开发与调试，器件电学性能优化等。 2. 负责7nm介电层工艺开发，高介电工艺调试及热退火工艺选择，从而提升栅极电容及沟道迁移率，提高产品的可靠性。 3. 负责7nm金属柵工艺开发，评估新型功函数材料，通过优化工艺来提高功函数调节范围，降低器件阈值电压

博士期间获得国家研究生奖学金、温持祥奖学金、三和奖学金等，并多次荣获浙江大学一等荣誉称号、浙江大学优秀研究生干部、浙江大学三好学生等。

本科期间荣获浙江大学优秀毕业生、东港奖学金、浙江大学三好学生、浙江大学优秀学生干部等荣誉称号。